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GeneSiC半導體, 碳化硅的先驅和全球供應商 (碳化硅) 功率半導體器件, 宣布第 5 代的可用性 (GE***系列) SiC 肖特基 MPS™ 整流器以其卓越的性價比指標樹立了新的標桿, 行業領先的浪涌電流和雪崩穩定性, 和高品質的制造.

“GeneSiC 是最早在美國商業化供應 SiC 肖特基整流器的 SiC 制造商之一。 2011. 經過十多年為業界提供高性能、高品質的碳化硅整流器, 我們很高興發布我們的第 5 代 SiC 肖特基 MPS™ (合并-PiN-肖特基) 在各個方面提供行業領先性能的二極管，以滿足服務器/電信電源和電池充電器等應用中的高效率和功率密度目標. 使我們的第 5 代產品的革命性功能 (GE***系列) SiC 肖特基 MPS™ 二極管在同類產品中脫穎而出的是低內置電壓 (也稱為拐點電壓);它可以在所有負載條件下實現最低的二極管傳導損耗 - 對于需要高效能源使用的應用至關重要. 與其他競爭對手的 SiC 二極管相比，同樣設計用于提供低拐點特性, 我們的 Gen5 二極管設計的另一個特點是它們仍然保持高水平的雪崩 (UIL) 我們的客戶對 GeneSiC 的 Gen3 所期望的堅固性 (GC***系列) 和 Gen4 (GD***系列) SiC肖特基MPS™” 博士說. 西達斯·孫達雷森, GeneSiC半導體技術副總裁.

特征 –

低內置電壓 – 所有負載條件下的最低傳導損耗

優異的功績 – 質量控制 x VF

最佳性價比

增強的浪涌電流能力

100% 雪崩 (UIL) 已測試

低熱阻適用于較冷的操作

零正向和反向恢復

溫度無關的快速開關

VF 的正溫度系數

應用領域 –

功率因數校正中的升壓二極管 (全氟化合物)

服務器和電信電源

太陽能逆變器

不間斷電源 (UPS)

電池充電器

隨心所欲 / 逆變器中的反并聯二極管

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 碳化硅肖特基 MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 碳化硅肖特基 MPS™

所有設備均可通過授權GeneSiC代理商購買