Insignis 的 DDR2 SDRAM 器件采用了其專有的擴(kuò)展測試流程，可確保在升高的結(jié)溫下工作。
Insignis 通過工業(yè)和擴(kuò)展測試的 DDR2 SDRAM 圖片NDB16P 是一款經(jīng)過 Insignis 專有的擴(kuò)展測試流程檢測的高速 CMOS DDR2 同步 DRAM，可減少早期故障，并具有確保工業(yè)用途的優(yōu)秀質(zhì)量和長期可靠性。這些器件設(shè)計符合 DDR2 DRAM 的關(guān)鍵特性，如公布的 CAS# 具有附加延遲、寫延遲 = 讀延遲 - 1 以及片內(nèi)端接 (ODT) 。
所有控制和地址輸入都與一對外部提供的差分時鐘同步。輸入在差分時鐘的交叉點(diǎn)（CK 上升和 CK# 下降）被鎖定。所有 I/O 都以源同步方式與一對雙向選通（DQS 和 DQS#）信號同步。
以交錯方式操作存儲體允許隨機(jī)訪問操作以比標(biāo)準(zhǔn) DRAM 可能更高的速率發(fā)生。可啟用自動預(yù)充電功能，以提供一個在猝發(fā)序列結(jié)束時激活的自定時行預(yù)充電。根據(jù)猝發(fā)長度、CAS 延遲和器件的速度等級，可以實(shí)現(xiàn)順序和無間隙數(shù)據(jù)速率。
特性
Insignis 專有的擴(kuò)展測試流程提高了質(zhì)量，確保了在升高的結(jié)溫下正常運(yùn)行
JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)直接替代零件
提供符合 AECQ-100 的版本
提供 512 Mb、1 Gb 和 2 Gb 容量
工作溫度范圍
擴(kuò)展測試 (ET) ：0°C 至 +85°C
工業(yè) (IT)：-40°C 至 +95°C（最高可達(dá) 105°C）
差分時鐘 CK 和 /CK
雙向單/差分?jǐn)?shù)據(jù)選通
符合 RoHS 規(guī)范
全同步工作
4 位預(yù)取架構(gòu)
可編程模式和擴(kuò)展模式寄存器
片內(nèi)端接 (ODT)
自動刷新和自我刷新
預(yù)充電和主動斷電
無鉛和無鹵素封裝
應(yīng)用
工業(yè)
工廠自動化
游戲機(jī)
嵌入式控制板
工業(yè) PC
醫(yī)療
印刷
通信/監(jiān)控
遠(yuǎn)程/現(xiàn)場監(jiān)控設(shè)備
門禁系統(tǒng)/安防
相機(jī)
計量
汽車/運(yùn)輸
航空
鐵路
船舶
駕駛員信息系統(tǒng)
信息娛樂
電信/網(wǎng)絡(luò)
蜂窩天線
路由器和交換機(jī)
網(wǎng)絡(luò)存儲
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